ЧАПЛЫГИН 

 

ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ 

 

Академик РАН, доктор технических наук, профессор, президент Московского института электронной техники; Москва 

Родился в 1951 году в Курске. В 1974 году окончил физико-технический факультет Московского государственного института электронной техники (МИЭТ).

С 1974 по 1983 год Ю.А. Чаплыгин – аспирант, младший научный сотрудник, ассистент кафедры общей физики МИЭТ.

В 1982 году защитил кандидатскую диссертацию, в 1995 – докторскую. В 1997 году ему было присвоено звание профессора.

В 1984–1987 годах Ю.А. Чаплыгин – заместитель проректора по научной работе, с 1988 по 1998 год – проректор по научной работе МИЭТ. С 1998 по 2016 год – ректор, с 2016 года по настоящее время – президент МИЭТ.

Избран членом-корреспондентом РАН в 2003 году. С 2016 года – академик РАН.

Сфера научных интересов Ю.А. Чаплыгина – микро- и наноэлектроника, микро- и наносистемная техника. Им исследованы физические и конструктивно-технологические факторы, определяющие основные характеристики микросистем и систем на кристалле, решены ряд фундаментальных и прикладных проблем создания интегрированных устройств приема и обработки информации на основе технологии микроэлектроники.

Ю.А. Чаплыгин – член ВАК Минобрнауки России, Совета по премиям Правительства РФ в области науки и техники, председатель докторского диссертационного совета, член оргкомитетов ряда международных и российских научных конференций.

Лауреат премии Президента РФ в области образования, премии Правительства РФ в области науки и техники (дважды).

Является автором и соавтором более 230 научных работ.

 

Публикации

 

1. Chaplygin Yu.A., Krupkina T.Yu., Krasukov A.Yu., Artamonova E.A. 0.5-ЦТ SOI CMOS for extreme temperature applications // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2017. № 4. С. 11-15.

2. Амиров И.И., Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Бардушкин В.В., Белов А.Н., Беспалов В.А., Бобринецкий И.И., Боргардт Н.И., Вернер В.Д., Волков Р.Л., Гаврилов С.А., Галперин В.А., Герасименко А.Ю., Голишников А.А., Горбацевич А.А., Громов Д.Г., Дюжев Н.А., Егоркин В.И., Звездин А.К., Земляков В.Е. и др. Нанотехнологии в электронике-3.1. М., 2016. 480 с.

3. Belov A.N., Chaplygin Y.A., Golishnikov A.A., Kostyukov D.A., Putrya M.G., Safonov S.O., Shevyakov V.I. Tungsten alloyed with rhenium as an advanced material for heat-resistant Silicon ICs interconnects // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Сер. “International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016”. Zvenigorod, 2016. 

4. Zhigalov V., Petukhov V., Emelianov A., Timoshenkov V., Chaplygin Y., Pavlov A., Shamanaev A. Low-threshold field emission in planar cathodes with nanocarbon materials // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Сер. “International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016”. Zvenigorod, 2016. 

5. Belov A., Chaplygin Y., Sagunova I., Shevyakov V., Lemeshko S. Features of local anodic oxidation process // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Сер. “International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016”. 2016. 

6. Kozlov A.V., Krasjukov A.Y., Krupkina T.Y., Chaplygin Y.A. Simulation of characteristics and optimization of the constructive and technological parameters of integrated magnetosensitive elements in micro and nanosystems // Russian Microelectronics. 2016. Т. 45. № 7. С. 522-527.

7. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 2. С. 139-144.

8. Евдокимов В.Д., Чаплыгин Ю.А. Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SIGe ГБТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 4. С. 387-389.

9. Розанов Р.Ю., Кондрашов В.А., Неволин В.К., Чаплыгин Ю.А. Характеристики хлоридных мемристоров на основе металлических пленок наноразмерной толщины // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 1. С. 29-35.

10. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Исследование электрических характеристик кмоп-кни - структур с проектными нормами 0.5 мкм для высокотемпературной электроники // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 10-15.

11. Лосев В.В., Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Путря М.Г. Особенности процессов обработки и передачи информации в вычислительных устройствах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 2. С. 204-211.

12. Чаплыгин Ю.А., Балашов А.Г., Евдокимов В.Д., Ключников А.С. Исследование быстродействия SIGe ГБТ при переходе к СУБ-100 НМ топологическим размерам // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 32-36.

13. Графутин В.И., Ельникова Л.В., Илюхина О.В., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Фунтиков Ю.В., Чаплыгин Ю.А. Определение размеров нанообъектов в пористых системах, дефектных материалах и наноматериалах на основе кремния и в облученных металлах и сплавах по методу позитронной аннигиляционной спектроскопии // Труды международного симпозиума «Надежность и качество». 2016. № 1. С. 18-35.

14. Kochurina E., Timoshenkov S., Korobova N., Chaplygin Y., Anchutin S., Kosolapov A. Research and development of capacitive transducer with linear acceleration // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 7. Сер. “Smart Sensors, Actuators, and MEMS VII; and Cyber Physical Systems” 2015. С. 951-725.

15. Высоких Ю.Е., Краснобородько С.Ю., Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Особенности измерений в магнитно-силовой микроскопии // Мокеровские чтения: сборник трудов 6-ой международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники / Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». М., 2015. С. 95-96.

16. Losev V.V., Chaplygin Y.A., Orlov D.V. Noise protected 1-OF-4 coding system with active zero for computing systems // Russian Microelectronics. 2015. Т. 44. № 7. С. 497-500.

17. Лемешко С.В., Сагунова И.В., Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Выбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 2. С. 188-194.

18. Козлов А.В., Красюков А.Ю., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 5. С. 489-496.

19. Боргардт Н.И., Волков Р.Л., Румянцев А.В., Чаплыгин Ю.А. Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком // Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 12. С. 97-104.

20. Borgardt N.I., Volkov R.L., Rumyantsev A.V., Chaplygin Y.A. Simulation of material sputtering with a focused ion beam // Technical Physics Letters. 2015. Т. 41. № 6. С. 610-613.

21. Chaplygin Yu.A., Krupkina T.Yu., Krasukov A.Yu., Artamonova E.A. Influence of cmos hall effect sensor layout on its magnetic sensitivity // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2015. № 2. С. 179-184.

22. Chaplygin Yu.A., Adamov Yu.F., Timoshenkov V.P. VBIC model application features at design of ASIC on SIGe HBT // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2015. № 3. С. 25-26. 

23. Chaplygin Yu.A., Timoshenkov V.P., Shevyakov V.I., Adamov Yu.F. Electro static discharge for BiCMOS IC // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2015. № 3. С. 27. 

24. Antonov S.P., Smagulova S.A., Krasnoborodko S.Yu., Chaplygin Yu.A., Shevyakov V.I. Modification of cantilevers for atomic - force microscopy using the method of exposure defocused ion beam // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2014. 

25. Лосев В.В., Путря М.Г., Чаплыгин Ю.А., Гумерова Г.И. Особенности профессиональной стандартизации в области проектирования изделий наноэлектроники // Перспективы развития науки и образования. сборник научных трудов по материалам Международной научно-практической конференции. 2014. С. 95-96. 

26. Лосев В.В., Чаплыгин Ю.А., Орлов Д.В. Помехозащищенная система кодирования «1 из 4» с активным нулем для вычислительных систем // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2014. № 5 (109). С. 68-74. 

27. Чаплыгин Ю.А., Крупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А. Bсследование влияния топологии КМОП-совместимого элемента Холла на его магниточувствительность // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 2. С. 179-184. 

28. Чаплыгин Ю.А., Адамов Ю.Ф., Тимошенков В.П. Jсобенности применения модели VBIC при проектировании ИМС на SIGe биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 3. С. 93-98. 

29. Чаплыгин Ю.А., Тимошенков В.П., Шевяков В.И., Адамов Ю.Ф. электростатическая защита БиКМОП микросхем // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 3. С. 99-104. 

30. Розанов Р.Ю., Кондрашов В.А., Неволин В.К., Чаплыгин Ю.А. Разработка и исследование мемристоров на основе металлических пленок наноразмерной толщины // Наноинженерия. 2014. № 2 (32). С. 22-28. 

31. Gorshkov K.V., Nevolin V.K., Chaplygin Yu.A., Berzina T.S., Erokhin V.V. Investigation of electrical properties of organic memristors based on thin polyaniline-graphene films // Russian Microelectronics. 2013. Т. 42. № 1. С. 27-32.   

32. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Cхемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6 (104). С. 24-30. 

33. Берзина Т.С., Горшков К.В., Ерохин В.В., Неволин В.К., Чаплыгин Ю.А. Исследование электрических свойств органических мемристоров на основе тонких пленок полианилин-графенов // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 1. С. 56. 

34. Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Исследование влияния конструктивных параметров кантилеверов на чувствительность метода магнитной силовой микроскопии // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. № 3-4. С. 71-75.

35. Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П., Евстафьев С.С. Разработка биморфного термоактюатора и конструкции микрозеркала на его основе // Инженерный вестник Дона. 2013. Т. 24. № 1 (24). С. 95.

36. Chaplygin Yu.A., Artamonova E.A., Krasyukov A.Yu. Dependence of the thermal resistance of a powerful MOSFET on a silicon-on-insulator substrate on the construction-technological parameters of ITS structure // Russian Microelectronics. 2012. Т. 41. № 7. С. 376-378.

37. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Cхемотехническая реализация блоков системы авторегулирования кольцевого адиабатического драйвера // Радиопромышленность. 2012. № 3. С. 33-46. 

38. Артамонова Е.А., Голишников А.А., Крупкина Т.Ю., Родионов Д.В., Чаплыгин Ю.А. Модель учета рельефа границы раздела SI/SIO 2 наноразмерного МДП-транзистора в среде TCAD Sentaurus // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2012. № 1. С. 199-202.

39. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Резонансный энергоэффективный драйвер // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2012. № 1. С. 405-408.

40. Kozlov Yu.F., Chaplygin Yu.A., Timoshenkov S.P., Grafutin V.I., Prokopev E. Possible synergetic approaches to the explanation of nanomaterials high properties // European Researcher. 2012. № 7 (25). С. 1030-1035.

 

Вестник Кибернетики Jc.surgu.ru